အရည်အသွေးမြင့် ဂရပ်ဖိုက်တွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြံ့ခိုင်မှု၊ အပူတည်ငြိမ်မှု၊ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်နှင့် အလွန်မြင့်မားသော လေယာဉ်တွင်းအပူနှင့် လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်မှုတို့ ပါ၀င်သောကြောင့် ၎င်းသည် တယ်လီဖုန်းများတွင် ဘက်ထရီအဖြစ်အသုံးပြုသည့် photothermal conductor ကဲ့သို့သော အပလီကေးရှင်းများစွာအတွက် အရေးကြီးဆုံးအဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ အထူးဂရပ်ဖိုက်တစ်မျိုး၊ အလွန်မှာယူထားသော pyrolytic graphite (HOPG) သည် ဓာတ်ခွဲခန်းများတွင် အသုံးအများဆုံးထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ပစ္စည်း။ ဤကောင်းမွန်သောဂုဏ်သတ္တိများသည် ဂရပ်ဖင်းအလွှာများကြားတွင်ရှိသော ကာဗွန်အက်တမ်များကြားတွင် ခိုင်ခံ့သော covalent နှောင်ကြိုးများဖြစ်သော ဂရပ်ဖင်းအလွှာဖွဲ့စည်းပုံကြောင့်ဖြစ်ပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သောစက်မှုဂုဏ်သတ္တိများ၊ အပူနှင့်လျှပ်စစ်စီးကူးမှုတို့ကို ပံ့ပိုးပေးကာ graphene အလွှာများကြားတွင် အပြန်အလှန်သက်ရောက်မှုအနည်းငယ်သာရှိသည်။ လုပ်ဆောင်ချက်သည် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် မြင့်မားမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ဖိုက်တင်။ ဂရပ်ဖိုက်ကို သဘာဝတွင် နှစ်ပေါင်း 1000 ကျော် ရှာဖွေတွေ့ရှိခဲ့ပြီး ၎င်း၏ အတုအယောင်ပေါင်းစပ်မှုကို အနှစ် 100 ကျော်ကြာ လေ့လာခဲ့သော်လည်း ဂရပ်ဖိုက်နမူနာများ၏ အရည်အသွေးသည် သဘာဝနှင့် ပေါင်းစပ်မှုနှစ်ခုစလုံးအတွက် စံနမူနာနှင့် ဝေးကွာလှသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ ဂရပ်ဖိုက်ပစ္စည်းများရှိ အကြီးဆုံးသော တစ်ခုတည်းသောဂရပ်ဖိုက်ဒိုမိန်းများ၏ အရွယ်အစားသည် ပုံမှန်အားဖြင့် 1 မီလီမီတာထက်နည်းပြီး၊ ၎င်းသည် quartz single crystals နှင့် silicon single crystals များကဲ့သို့သော crystal အများအပြား၏အရွယ်အစားနှင့် ဆန့်ကျင်ဘက်ဖြစ်သည်။ အရွယ်အစားသည် တစ်မီတာ၏ အတိုင်းအတာအထိ ရောက်ရှိနိုင်သည်။ single-crystal graphite ၏ အလွန်သေးငယ်သော အရွယ်အစားသည် ဂရပ်ဖိုက်အလွှာများကြားတွင် အပြန်အလှန်သက်ရောက်မှုအားနည်းခြင်းကြောင့်ဖြစ်ပြီး ကြီးထွားလာချိန်တွင် ဂရပ်ဖင်းအလွှာ၏ ညီညာမှုကို ထိန်းသိမ်းရန် ခက်ခဲသောကြောင့် ဂရပ်ဖိုက်သည် ပုံသဏ္ဍာန်တစ်ခုတည်းသော ကောက်နှံနယ်နိမိတ်များအဖြစ်သို့ အလွယ်တကူကွဲသွားပါသည်။ . ဤအဓိကပြဿနာကိုဖြေရှင်းရန် Ulsan National Institute of Science and Technology (UNIST) မှ Emeritus ပါမောက္ခနှင့် ၎င်း၏ ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်သူများ ပါမောက္ခ Liu Kaihui၊ Peking University မှ ပါမောက္ခ Wang Enge နှင့် အခြားသူများက ပြင်းအား ပါးပါးလျလျ ပေါင်းစပ်ခြင်းအတွက် မဟာဗျူဟာကို အဆိုပြုခဲ့ကြသည်။ ဖိုက်တာ တစ်ခုတည်းသော crystals။ ရုပ်ရှင်၊ လက်မစကေးအထိ။ ၎င်းတို့၏နည်းလမ်းသည် တစ်ခုတည်းသောသလင်းခဲနီကယ်သတ္တုပြားကို အလွှာတစ်ခုအနေဖြင့်အသုံးပြုပြီး ကာဗွန်အက်တမ်များကို နီကယ်သတ္တုပြား၏နောက်ကျောမှ " isothermal dissolution-diffusion-deposition process" ဖြင့် ဖြည့်သွင်းသည်။ ဂရပ်ဖိုက်ကြီးထွားမှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေရန်အတွက် ဓာတ်ငွေ့ထွက်ရှိသော ကတ်ထူပြားအရင်းအမြစ်ကို အသုံးပြုမည့်အစား၊ ဤနည်းဗျူဟာအသစ်သည် အထူ 1 လက်မနှင့် 35 microns သို့မဟုတ် ဂရပ်ဖင်းအလွှာ 100,000 ကျော်ရှိသော တစ်ခုတည်းသော crystal graphite ရုပ်ရှင်များကို ရက်အနည်းငယ်အတွင်း ထုတ်လုပ်နိုင်စေပါသည်။ ရရှိနိုင်သော ဂရပ်ဖိုက်နမူနာများအားလုံးနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ တစ်ခုတည်းသော သလင်းခဲဂရပ်ဖိုက်တွင် အပူစီးကူးနိုင်မှု ~2880 W m-1K-1၊ အရေးမပါသော အညစ်အကြေးများနှင့် အလွှာများကြား အနည်းဆုံး အကွာအဝေးရှိသည်။ (1) အလွန်ပြန့်ပြူးသော အလွှာများအဖြစ် ကြီးမားသော အရွယ်အစားရှိသော နီကယ်ဖလင်များကို ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းခြင်းဖြင့် ပေါင်းစပ်ဂရပ်ဖိုက်ကို ထိခိုက်စေသည် ။ (၂) ဂရပ်ဖင်းအလွှာ 100,000 ကို နာရီပေါင်း 100 ခန့်အတွင်း အပူချိန်နည်းစွာ စိုက်ပျိုးထားသောကြောင့် ဂရပ်ဖင်းအလွှာတစ်ခုစီကို တူညီသောဓာတုပတ်ဝန်းကျင်နှင့် အပူချိန်တွင် ပေါင်းစပ်ထုတ်လုပ်ထားသောကြောင့် ဂရပ်ဖိုက်၏အရည်အသွေးကို အာမခံနိုင်စေပါသည်။ (၃) နီကယ်သတ္တုပါး၏ ပြောင်းပြန်အခြမ်းမှတဆင့် ကာဗွန်ကို စဉ်ဆက်မပြတ် ထောက်ပံ့ပေးခြင်းသည် ဂရပ်ဖင်းအလွှာများကို ငါးစက္ကန့်တိုင်း ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် အလွန်မြင့်မားသောနှုန်းဖြင့် အလွှာတစ်လွှာကို စဉ်ဆက်မပြတ်ကြီးထွားစေပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- နိုဝင်ဘာ-၀၉-၂၀၂၂